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A Samsung revelou novas inovações para o segmento de memórias voltadas ao uso profissional com a tecnologia zHBM, e para armazenamento com o zNAND-O. O anúncio foi feito durante o evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026 e os sistemas com o zHBM prometem um desempenho oito vezes maior que a futura HBM5.
Esse zHBM é uma nova arquitetura de memória de alta largura de banda (HBM) que muda completamente a forma como esses componentes são integrados aos aceleradores de IA. Modelos HBM padrão são inseridos ao lado do processador dos servidores, mas a nova proposta da Samsung é reduzir a distância física entre a memória e o chip.
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A solução da gigante sul-coreana é empilhar as memórias verticalmente sobre o processador através de uma técnica que une os wafers de memória. Na prática, isso reduz a distância percorrida pelos dados entre memória e processador, diminuindo a latência e aumentando tanto a velocidade quanto a eficiência energética.
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Essa abordagem seria 8 vezes melhor que sistemas com a futura HBM5 e com densidade dez vezes maior, além da melhor eficiência energética. Outro ponto destacado pela Samsung é que esse zHBM traria uma redução superior a 50% da resistência térmica, facilitando a dissipação de calor em sistemas de IA mais complexos.
zNAND-O e V10
Para o mundo dos armazenamentos, a apresentação da Samsung também revelou o zNAND–O. Trata-se de uma nova proposta para armazenamento NAND de alto desempenho voltada principalmente para aplicações de Edge AI. O conceito é parecido com o zHBM, já que ambos operam nessa mesma pegada de empilhamento vertical.
A fabricante explica que desenvolve essas soluções em versões com quatro e oito camadas, com foco em oferecer baixa latência. É reportado que essa tecnologia será importante para aplicações que exigem processamento em tempo real. Isso vale para veículos autônomos, robôs industriais, sistemas de visão computacional e dispositivos inteligentes conectados.
Outro ponto alto foi a introdução do V10 BV-NAND, ou seja, a décima geração de memórias flash da Samsung. Para além disso, a apresentação marca a chegada do recurso de Bonding V-NAND, um método de fabricação baseado na união de wafers de silício para empilhar as células de memória.
Essa técnica permitiu à fabricante ultrapassar a marca de 400 camadas pela primeira vez na indústria, aumentando a densidade em aproximadamente 58% em comparação com a geração anterior. A nova arquitetura promete mais velocidade de escrita, leitura e comunicação entre o controlador e a própria memória NAND.
As tecnologias zHBM e zNAND-O ainda não possuem data de estreia, mas o V10 está próximo de chegar ao mercado entusiasta em breve.
Por falar na Samsung, a marca também anunciou que suas TVs serão as primeiras a receber o HDR1+ Advanced em conteúdos do Prime Video. Siga o TecMundo no X, Instagram, Facebook e YouTube e assine a nossa newsletter para receber as principais notícias e análises diretamente no seu e-mail.
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