Em um lançamento conjunto com a SanDisk, a Toshiba anunciou nesta semana um novo produto que, segundo os especuladores da indústria mobile, pode aparecer nos novos "iPhones 7", que devem ser lançados pela Apple em 2016. O produto seria uma nova memória flash de 32 GB BiCS 3D de 48 camadas.

Essa primeira amostra serviria para apresentar a capacidade de SanDisk e Toshiba produzirem chips para armazenamento em estado sólido para smartphones de alto desempenho, como os próximos top de linha da Maçã. Contudo, isso não passa de especulação no momento, uma vez que a Apple nem mesmo lançou os modelos "6S" previstos para setembro de 2015.

Voltando às novidades da nova memória flash, as fabricantes comentam que se trata do dispositivo de armazenamento de dados mais rápido do mundo atualmente. Ela também é bastante eficiente energeticamente, tendo sido construída em um modelo de 15 nm.

Veloz e confiável

As empresas ainda comentam que a memória foi baseada na tecnologia 3D BiCS NAND, que se destaca por melhorar a confiabilidade do processo de gravação e aumentar a velocidade de registro de dados. O chip seria considerado 3D por conseguir armazenar três bits de dados em cada transistor, em vez dos dois bits tradicionais alcançados atualmente.

Acredita-se que a produção em massa dessa nova memória comece em algum momento do ano que vem, uma vez que a SanDisk e a Toshiba ainda estão construindo uma fábrica que ficará responsável por essa novidade em específico. Nenhuma das companhias revelou quais empresas devem comprar esses produtos em um futuro próximo, mas elas são as duas maiores fornecedoras da Apple para memória de dispositivos mobile, o que tem alimentado as suposições sobre o iPhone 7.

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