A Samsung anunciou que está começando a produção em massa de uma avançada tecnologia para dispositivos de armazenamento.  É a primeira vez que alguém na indústria fabrica módulos de memória de múltiplos níveis (MLC) de 3 bits V-NAND 3D.

O V-NAND MLC de 3 bits da empresa coreana representa a segunda geração de produtos V-NAND 3D, que utiliza 32 camadas de células enfileiradas por chip. Cada um dos dispositivos suporta 128 Gigabits de espaço de armazenamento.

O padrão V-NAND resultou em modelos de dispositivos como o SSD Samsung 850 Pro, que teve um desempenho impressionante em vários testes de benchmark — além da atraente garantia de 10 anos. Porém, a junção do V-NAND com a tecnologia de 3 bits poderia potencializar muito o que o chip poderia fazer.

Mais veloz, com mais espaço e mais barato

Um dos principais motivos pelo qual ainda há resistência por parte dos usuários na adesão do SSD é seu custo bem mais elevado que o dos discos rígidos. Porém, se tudo correr como  a Samsung espera, seu produto pode resultar em uma memória mais rápida, com maior capacidade e de preço mais acessível para o consumidor.

“Com adição de toda uma nova linha de SSDs de alta densidade que oferece performance e um preço mais baixo, nós acreditamento que V-NAND de 3 bits acelerará a transição do armazenamento de dados do disco rígido para os SSDs”, declarou Jaesoo Han, vice presidente de Marketing da Samsung.

“A variedade mais ampla de SSDs aumentará a competitividade de nosso produto, à medida que expandimos rapidamente o nosso negócio no ramo de SSDs”, concluiu Han.  Samsung trouxe à luz seu primeiro V-NAND 3D de 24 camadas em agosto de 2013, anunciando no primeiro semestre deste ano a segunda geração que contava com 32 camadas. Vamos aguardar e ver o que o que o SSD V-NAND 3D de 3 bits nos reserva.

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