Chips de 3 nm da Samsung serão 35% mais potentes do que os atuais

21/05/2019 às 09:34

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Na última terça-feira (14), a Samsung realizou sua Foundry Forum 2019, em Santa Clara, Califórnia. No evento, a companhia apresentou seu roteiro de desenvolvimento para os processos de fabricação de chips móveis, detalhando o modelo que será utilizado no desenvolvimento dos chips de 3 nanômetros.

Para a Samsung, a mudança dos 4 para os 3 nm pode representar o maior salto de avanço tecnológico até aqui. Isso porque ela desenvolveu uma solução própria, baseada no modelo de fabricação “gate-all-around” (GAA), chamada de MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).

O MBCFET consiste em nano camadas multi empilhadas. Enquanto no modelo FinFET, há a necessidade de se adicionar fins lado a lado, no MBCFET, as nano camadas são empilhadas verticalmente. Esse método vai permitir uma maior corrente por pilha comparado ao processo de fabricação atual.

Qual o ganho de performance?

A Samsung afirmou que, em comparação com os chips de 7 nanômetros, os de 3 nanômetros fabricados sob sua tecnologia MBCFET poderão ser até 45% menores, 50% mais energeticamente econômicos e 35% mais eficientes. Vale lembrar que o chip mais recente da Samsung, o Exynos 9810, que equipa algumas versões do Galaxy S10, é fabricado em 10 nanômetros.

Embora ainda não haja um prazo definido para a entrega e comercialização dos chips de 3 nm, a Samsung deu detalhes dos prazos com relação aos outros modelos:

6 nanômetros – Será produzido em massa a partir do segundo semestre de 2019;
5 nanômetros – Deve ser concluído até o final de 2019, com o início da produção previsto para o primeiro semestre de 2020;
4 nanômetros – Previsão de conclusão para o final de 2020.

No dia 1º de abril, a Samsung já havia compartilhado a versão 0.1 de seu kit de projeto de processo com o s clientes. Com isso, ela incentiva a competitividade e pode reduzir o tempo de chegada da nova tecnologia ao mercado. No momento, a companhia está buscando aperfeiçoar suas tecnologias para atingir maior desempenho e eficiência energética.