A Samsung começou a produzir massivamente os primeiros módulos de memória TSV DDR4 de 128 GB da indústria, voltados para a utilização em data centers e servidores empresariais. Anunciada pela empresa na quinta-feira (26), a novidade apresenta a maior capacidade e eficiência já vista em um componente do tipo, ao mesmo tempo que promete atingir um desempenho superior com excelente confiabilidade.

Segundo a Samsung, o módulo TSV DDR4 de 128 GB é constituído por um total de 144 chips DDR distribuídos em 36 pacotes de 4 GB DRAM. Cada um desses conjuntos, por sua vez, conta com quatro peças de 8 gigabits com 20 nanômetros montadas com a tecnologia de embalagem TSV (sigla em inglês para “via por meio de silício”).

Em vez de serem soldados, os pacotes feitos com essa técnica contêm fileiras de chips que são lixadas para ficarem com alguns micrômetros de espessura e recebem furos finos que servem como passagem de eletrodos. Dessa forma, o módulo passa a contar com um grande aumento em transmissão de sinais, o que permite que ofereçam uma solução com pouco consumo de energia para os servidores de próxima geração com velocidades de até 2.400 Mbps.

Tecnologia para todos

Além da já impressionante novidade, a Samsung se compromete a “manter sua liderança tecnológica” e trabalhar em módulos TSV DRAM com desempenhos ainda melhores. Os planos da companhia incluem opções capazes de atingir velocidades de até 2.667 Mbps e 3.200 Mbps, além de expandir as aplicações da tecnologia TSV para memória com largura de banda elevada (HBM, na sigla em inglês) e produtos de consumo.

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