A Intel anunciou nesta semana que, depois de uma década de pesquisas, irá adotar oficialmente a tecnologia de transístores tri-gate em seu futuro processador Core iX “Ivy Bridge” de 22 nanômetros.

A novidade reside muito mais no método de fabricação dos transístores do que em avanços de desempenho e qualidade de materiais. Depois de várias pesquisas, inclusive com a utilização de um material à base de Háfnio (Hf) e um elemento metálico em substituição ao Silício Policristalino (Pollysilicon) e do óxido de silício (SiO2), uma outra solução mais simples parece ter sido encontrada.

(Fonte da imagem: Intel)

O transistor tri-gate tem como diferencial o fato de os seus componentes não serem mais empilhados em camadas, mas sim na vertical, criando uma nova dimensão de altura. A Intel tem se referido ao novo produto como “transistor 3D”.

Segundo a Intel, até hoje o caminho por onde a corrente elétrica entra (Source) e sai (Drain) do transistor é literalmente plana e o material semicondutor que controla o fluxo de elétrons, possui apenas uma superfície de contato. Com a nova técnica, é possível colocar mais transistores no mesmo espaço, permitindo novas possibilidades de evolução.