A Samsung anunciou na última terça-feira (19) que iniciou a produção em massa daquela que pode ser considerada a memória DRAM mais veloz do mundo. Usando módulos HBM2, o novo produto é capaz de transmitir dados em velocidades de até 256 GBps, o que o torna  sete vezes mais veloz que o chip DRR5 mais rápido do mercado atual.

Segundo a empresa sul-coreana, a novidade, que usa um processo de fabricação em 20 nanômetros, inicialmente vai ser oferecida a fabricantes de servidores que insistem em trabalhar com as tecnologias mais avançadas. Em um momento posterior, o produto também deve permitir que a AMD e a NVIDIA produzam placas gráficas significativamente mais poderosas que suas opções atuais.

A Samsung está construindo módulos de 4 GB com quatro camadas de núcleos de 8 gigabits e pretende oferecer uma opção com 8 GB até o final de 2016. Segundo a companhia, os novos produtos vão oferecer uma economia de espaço na ordem de 95% em comparação com soluções que empregam a tecnologia GDDR5.

Em um comunicado oficial, a corporação afirmou que vai continuar trabalhando para aumentar sua capacidade de produção e, assim, cumprir a demanda crescente dos segmentos de sistemas de redes e servidores. A companhia também espera expandir sua linha de soluções DRAM baseadas em módulos HBM2 como forma de aumentar sua participação no mercado de computação.

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