A ação de protótipos de memórias RAM com o padrão DDR4 DRAM foi demonstrada durante o ISSCC (sigla em inglês para Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido). No mercado, o novo padrão de memórias deve começar a chegar somente a partir de 2013, mas espera-se que até a metade de 2015 ele represente 50% do mercado de RAM.
O novo padrão é mais eficiente em relação ao atual não somente na capacidade de transferência, mas também no consumo de energia. As taxas de transferências de dados das atuais DDR3 variam entre 800 MT/s (megatransferência) e 2.133 MT/s, e necessitam de uma tensão de 1,2 volt a 1,5 volt para funcionar.
Já as memórias DDR4 apresentadas na ISSCC transferem dados a uma velocidade que varia entre 2.133 MT/s e 4.266 MT/s, e necessitam de tensão de 1,05 volt a 1,2 volt para funcionarem. Sendo mais econômicas, espera-se que as DDR4 reduzam em até 40% o consumo total de energia de memória RAM em um PC.
Samsung e Hynix mostram seus dispositivos
Durante a conferência, duas empresas colocaram seus dispositivos em demonstração, a Samsung e a Hynix. A memória da Samsung alcançou uma taxa de transferência de 2.133 Gbps sob uma tensão de 1,2 volt, um desempenho muito superior a um dispositivo de mesmo tamanho (30 nanômetros) do padrão DDR3.
Conforme o Tom’s Hardware, o protótipo da Hynix, de 38 nm, funcionou sob tensão de 1,2 volt e alcançou taxa de transferência de 19,2 Gbps em dispositivos de 64-bits. Vale lembrar que o padrão DDR4 não é retrocompatível com padrões anteriores de memória RAM.
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